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2024-05-25 发布于四川
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本发明公开了一种MOSFET测试方法及系统，包括对MOSFET的栅极施加逐渐增加的电压，得到栅极电压与漏源电流的曲线，获得阈值电压，持续施加不同的电流，记录对应的漏源电压，计算得到导通电阻，调整漏源电压至指定范围内，监控温度和电流稳定性，获得最大漏源电流，对栅极施加电压，监测栅极氧化层是否有损坏迹象等；能够全面评估MOSFET的电气性能参数，包括阈值电压、导通电阻、最大漏源电流、最大栅源电压、漏极击穿电压、高频下的电容特性、开关时间和体二极管特性等，同时，通过监测温升和计算热阻，可以评估MOSF

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118068154A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202410477304.0

(22)申请日2024.04.19

(71)申请人深圳市冠禹半导体有限公司

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