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本发明涉及一种聚晶立方氮化硼的抛光方法，属于材料抛光技术领域。本发明的抛光方法包括以下步骤：根据聚晶立方氮化硼待抛光面的粗糙度，选择方法A或方法B或方法C对待抛光面进行抛光；方法A包括以下步骤：采用网格状铸铁研磨盘配合研磨液对Ra＞80nm的待抛光面进行研磨处理至粗糙度Ra为50～80nm，然后采用网格状无纺布抛光垫配合粗抛光液对待抛光面进行粗抛处理至粗糙度Ra为10～20nm，最后采用网格状阻尼布抛光垫配合精抛光液对待抛光面进行精抛处理。本发明的抛光方法适用于表面粗糙度Ra＞10nm的聚晶立方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118060980A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410336948.8
(22)申请日2024.03.22
(71)申请人河南联合精密材料股份有限公司
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