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钝化接触晶硅电池片成型工艺及电池片、光伏组件和系统.pdfVIP

钝化接触晶硅电池片成型工艺及电池片、光伏组件和系统.pdf

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    本发明涉及钝化接触晶硅电池片成型工艺及电池片、光伏组件和系统，其电池片包括硅片本体、隧穿氧化硅层和多晶硅层、钝化接触层、金属电极。本发明一方面由金属接触区域采用隧道结构层，且多晶硅掺杂层的厚度较厚，掺杂浓度较高，同时实现低的金属复合以及低接触电阻率，然后隧道结构层的中间氧化层可以抑制银离子的纵向扩散和腐蚀，进一步降低金属复合；另一方面结合非金属接触区域的多晶硅厚度较薄，且掺杂浓度较低，因此在保持低表面复合同时降低自由载流子吸收损失，可以进一步提升电池的短路电流，同时无需繁琐丝网印刷和使用高昂的掩

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118073477A

    (43)申请公布日2024.05.24

    (21)申请号202410341194.5H01L31/048(2014.01)

    (22)申请日2024.03

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