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本发明公开了一种提高半导体器件隔离度均匀性的方法及半导体器件,该方法在已完成第一次光刻技术形成第一集电极区域和第二集电极区域的基础上,将第二集电极区域下方外围的部分第一集电极区域或者部分第一集电极区域及其下方的截止层蚀刻掉,再采用离子注入工艺在蚀刻掉部分第一集电极区域或者部分第一集电极区域及其下方的截止层后所露出的外延结构上进行离子注入,形成隔离区,使晶圆中心与边缘、晶圆片与片之间厚度一致,保证离子注入深度一致,有效提高器件隔离度的均匀性及产品的良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073195A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410108863.4H01L29/06(2006.01)
(22)申请日2024.01.
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