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半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统.pdfVIP

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  • 2024-05-25 发布于四川
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半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统.pdf

    可以提供半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统，该半导体器件包括堆叠在衬底上并且彼此间隔开的第一栅电极；穿过第一栅电极的第一沟道结构，第一沟道结构包括第一沟道层、在第一沟道层和第一栅电极之间的第一电介质层、填充第一沟道层的内部的第一掩埋绝缘层、覆盖第一沟道层和第一电介质层的至少一部分的辅助沟道层、以及在第一掩埋绝缘层上的第一沟道焊盘；以及穿过第一栅电极的隔离区，隔离区彼此间隔开。辅助沟道层可以与第一沟道焊盘接触。第一沟道焊盘可以通过辅助沟道层与第一电介质层间隔开。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118076115A

    (43)申请公布日2024.05.24

    (21)申请号202311553344.0

    (22)申请日2023.11.21

    (30)优先权数据

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