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本发明公开一种基座控温装置、等离子体处理设备及使用方法,基座用于承载基片,基座控温装置包括:冷却通道,设置于基座内;制冷机,位于基座外,用于循环冷却液;且冷却通道通过进液管和出液管与制冷机连通,形成冷却循环回路;进液管和出液管上通过设置压力流量控制器而分成位于压力流量控制器靠近基座侧的上部液体通路和位于压力流量控制器靠近制冷机侧的下部液体通路;连通下部液体通路中进液管和出液管的第一支管,第一支管内冷却液流量可调节,压力流量控制器可根据第一支管内冷却液压力的提高而增加上部液体通路中的冷却液流量。本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073223A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211476339.X
(22)申请日2022.11.23
(71)申请人中微半导体设备(上海)股份有限公
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