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本实用新型公开了一种半导体分立器件及电路结构，包括封装外壳及封装于封装外壳内部的碳化硅二极管和硅二极管；碳化硅二极管和硅二极管共阴极连接；封装外壳上并排地设置有三个引脚，三个引脚中的任意两个引脚分别与碳化硅二极管和硅二极管连接。本方案通过将碳化硅二极管和硅二极管集成在一个器件中，使用时，可将器件通过三个引脚接入于对应的电路上；这种设计提升了器件的响应速度和稳定性，同时通过硅二极管来抵抗雷击、浪涌、启机冲击的瞬态高压大电流，能显著提高电路的抗浪涌性能；此外，由于硅二极管成本低，且该器件结构简单，所
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN221008940U
(45)授权公告日2024.05.24
(21)申请号202321735080.6H02M1/32(2007.01)
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