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本申请涉及一种存储器、半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供衬底，于所述衬底上形成导电材料层；图形化所述导电材料层，形成多个导电结构以及位于相邻所述导电结构之间的凹槽；采用第一工艺形成随形覆盖所述导电结构和所述凹槽的第一隔离层；采用第二工艺形成覆盖所述第一隔离层的第二隔离层；其中，所述第一隔离层的致密度大于所述第二隔离层的致密度。所述半导体结构的制备方法形成随形覆盖导电结构和凹槽的第一隔离层以及覆盖第一隔离层的第二隔离层，第一隔离层和第二隔离层共同对导电结构提供绝缘和保护，从
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073272A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211412099.7
(22)申请日2022.11.11
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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