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体硅SOIMOSFET与LDMOS的非准静态效应研究的开题报告

一、研究背景

体硅SOIMOSFET和LDMOS是两种重要的功率器件，分别用于集成电路和射频电子领域。为了满足不断提高的功率和频率要求，尤其是在高电压或高温度环境下的使用，需要深入了解它们的非准静态效应，以进一步优化它们的设计和应用。

二、研究内容

1.建立体硅SOIMOSFET和LDMOS的非准静态效应模型；

2.分析其主要的非准静态效应，如温度效应、电压依赖性、漏电流等；

3.基于非准静态模型，对器件进行优化设计，以实现更好的性能。

三、研究意义

1.为深入了解功率器件的非准静态效应提供参考；

2.为优化功率器件的设计和应用提供理论依据；

3.提高集成电路和射频电子领域的产品性能和质量。

四、研究方法

1.建立体硅SOIMOSFET和LDMOS的非准静态效应模型；

2.进行数值模拟，分析各种非准静态效应的影响；

3.设计并制作实验样品，验证模型的准确性；

4.对比不同设计方案，优化器件性能。

五、预期结果

1.建立更加准确的体硅SOIMOSFET和LDMOS的非准静态效应模型；

2.深入解析各种主要的非准静态效应的影响；

3.优化器件设计，实现更好的性能；

4.提高功率器件在高电压和高温度环境下的可靠性和稳定性。

六、研究难点

1.建立准确的非准静态效应模型；

2.对各种非准静态效应的相互影响进行综合分析；

3.对器件进行系统性能优化，实现更好的性能。

七、进度安排

第一年：建立非准静态效应模型，进行数值模拟和性能分析；

第二年：设计并制作实验样品，进行实验验证，并对样品进行性能测试和数据分析；

第三年：进行器件设计和优化，并进行器件可靠性和稳定性实验。

八、参考文献

1.MengQ.etal.(2019)TheDesignofHigh-PowerLDMOSDeviceBasedonSi-SOISubstrate.In:FangX.,YeT.,DingW.(eds)FrontiersinElectronics.IFOE-China2018.LectureNotesinElectricalEngineering,vol500.Springer,Singapore.

2.XiaP.etal.(2016)CompactModelingofBody-TiedSOIMOSFETsforRFICDesign.In:ZhaoW.(eds)Proceedingsofthe2015ChineseIntelligentAutomationConference.AdvancesinIntelligentSystemsandComputing,vol401.Springer,Cham.

3.邵波等.基于深孔下埋氧体硅SOI器件的研究[J].半导体技术,2019,44(2):127-133.