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本发明题为“具有深度学习神经网络的非易失性存储器管芯”。提供了用于使用例如管芯内的阵列下电路部件来实现非易失性存储器(NVM)装置的管芯内的深度学习加速器(DLA)或其他神经网络部件的示例性方法和装置。本文所公开的一些方面涉及配置阵列下部件以实现前馈DLA操作。其他方面涉及反向传播操作。其他方面涉及使用具有更新函数的基于NAND的芯片上拷贝以便于更新存储在管芯上的神经网络的突触权重。本文所公开的其他方面涉及配置固态设备(SSD)控制器以与NVM一起使用。在一些方面中，SSD控制器包括闪存转换层(
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112154460A
(43)申请公布日2020.12.29
(21)申请号201980006556.2K·因巴
(22)申请日2019.09.06
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