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一种单晶硅片衬底边缘腐蚀装置及方法.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于四川
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一种单晶硅片衬底边缘腐蚀装置及方法.pdf

    本发明公开了一种单晶硅片衬底边缘腐蚀装置及方法，该装置包括主体基座以及设于主体基座的硅片载台，硅片载台用于承载硅片，该装置还包括三维运动手臂以及与三维运动手臂连接的腐蚀系统，所述腐蚀系统包括注射器组件，所述注射器组件包括注射器I、注射器II和注射器III，所述注射器I、注射器II和注射器III分别用于喷射腐蚀液、纯水以及SC‑1药液，所述三维运动手臂按照预设运动路径带动注射器组件运动，从而将腐蚀液、纯水、SC‑1药液喷射在硅片边缘所需腐蚀区域。本发明解决了现有技术中碱腐蚀硅片的边缘不良问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118099033A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410192894.2

    (22)申请日2024.02.21

    (71)申请人浙江众合科技股份有限公司

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