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本发明属于半导体技术领域，提供了一种金刚石芯片及其制备方法，包括层叠设置的散热基板、第一共晶焊层、金刚石散热层、第二共晶焊层以及芯片，共晶焊层与所述金刚石散热层之间设置金属化层。通过金刚石的选择、表面处理及表面清洗检查，放入溅射设备中镀金属化层，再将金属化后的金刚石放在共晶焊设备上，实现焊接，焊接后冷却。本产品中利用金刚石的高热导性，更好发挥出芯片的性能同时增加芯片的寿命；另外，通过进一步调整焊接工艺、优化焊料、改变金属化层结构，调整焊料，使得金刚石与芯片之间的应力得到一定程度的释放，避免芯片碎
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099927A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410462122.6
(22)申请日2024.04.17
(71)申请人化合积电（泉州）
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