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本发明提供一种具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法，该方法包括：提供一衬底，于衬底上形成外延层；对外延层进行刻蚀以形成预设倾角的沟槽；于沟槽的内壁形成预设厚度的牺牲氧化层；通过刻蚀去除牺牲氧化层的一部分以显露沟槽的部分侧壁，残留于沟槽底部的牺牲氧化层作为底部厚栅氧层；于沟槽的侧壁形成侧壁薄栅氧层；于沟槽中形成多晶硅栅。本发明的具有底部厚栅氧的沟槽栅器件及制作方法中，采用常规的TrenchMOS制作工艺即可制备得到，不需要额外的工艺步骤，能够减少LOCOSTBO工艺过程中的热过程、避免磷沾污风
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098968A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211503794.4
(22)申请日2022.11.28
(71)申请人无锡华润华晶微电子有限公司
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