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方法包括在衬底上方形成介电层，该介电层具有顶面；在介电层中蚀刻开口；在开口内形成底电极，该底电极包括阻挡层；在开口内及在底电极上形成相变材料(PCM)层，其中，PCM层的顶面与介电层的顶面齐平或位于介电层的顶面的下方；以及在PCM层上形成顶电极。本申请的实施例涉及相变存储器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113517393A
(43)申请公布日2021.10.19
(21)申请号202110307279.8
(22)申请日2021.03.23
(30)优先权数据
63/016,33
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