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提供一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有一基底、一绝缘组件、一栅极结构、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一位元线、一气隙、一电容栓塞以及一着陆垫；绝缘组件界定出一主动区在基底中，绝缘组件具有一第一P型离子浓度；栅极结构设置在基底中；第一掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第一侧处；第二掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第二侧处；位元线位在第一掺杂区上；气隙位在邻近位元线处；电容栓塞设置在第二掺杂区上，且一阻障层位在电容栓塞的一侧壁上；着陆垫位在电容栓塞的一突出部上；着陆垫包括一第一硅化物
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113555344A
(43)申请公布日2021.10.26
(21)申请号202110425802.7H01L21/8242(2006.01)
(22)申请日
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