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2024-05-29 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括栅极区和源极区，所述栅极区形成有栅极结构；层间介电层，所述层间介电层覆盖所述半导体衬底和所述栅极结构，所述层间介电层中形成有第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔露出所述栅极区的所述栅极结构，所述第二接触孔露出所述源极区的所述半导体衬底；第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充所述第一接触孔，所述第二金属层填充所述第二接触孔，所述第一金属层与所述第二金属层之间存在间隔区；填充层，所述填充层填充所述间隔区；钝化层，所述

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099130A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410267891.0H01L29/786(2006.01)

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