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2024-05-29 发布于四川
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本发明提供了一种nFET器件及其制造方法，通过外延生长工艺形成掺磷硅外延层，提高了所形成的掺磷硅外延层的质量与可靠性，进一步的，通过对所述掺磷硅外延层附加执行磷离子注入工艺以及镭射退火工艺，从而在所述掺磷硅外延层中形成重掺磷硅外延层，所述重掺磷硅外延层包括四磷化三硅(Si3P4)结构，所述重掺磷硅外延层的厚度介于20nm～30nm之间，四磷化三硅结构的晶格常数小于硅的晶格常数，这将引起拉伸应力，从而能够在不改变截止电流Ioff的情况下使得饱和电流Idsat增加，也即能够在不改变截止电流Ioff的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118098981A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410277667.XH01L29/24(2006.01)

(22)申请日2024.03.

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