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本发明提供一种半导体器件芯片及其制作方法,该半导体器件芯片的制作方法包括以下步骤:提供一待制作半导体器件的正面电极结构的晶圆,并测量晶圆的正面的翘曲度;形成覆盖晶圆的背面的粘附层,并基于晶圆的翘曲度值于粘附层远离晶圆的一面形成预设厚度的应力修正层,以使晶圆的翘曲度在预设范围内;形成覆盖应力修正层的钝化层,并于晶圆的正面进行半导体器件的正面电极结构的制作;将形成正面电极结构后的晶圆进行划片,以得到单个半导体器件芯片,且粘附层为构成半导体器件的背电极的膜层。本发明于晶圆的背面形成依次层叠的粘附层、应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099933A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410228247.2
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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