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一种晶体氧化物薄膜，是以In为主成分的晶体氧化物薄膜，在晶体氧化物薄膜的面方向上，具有由扫描型扩展电阻显微镜(SSRM)测量的扩展电阻值不同的低电阻区域A与高电阻区域B，高电阻区域B的扩展电阻值为低电阻区域A的扩展电阻值的8倍以上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118103994A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202280068589.1(74)专利代理机构上海立群专利代理事务所
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