晶体管参数量测装置.pdfVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
晶体管参数量测装置包含量测电路及处理器。量测电路产生初始电压及初始电流至待测晶体管,量测待测晶体管响应初始电流的第一电压。处理器耦接量测电路,并于第一阶段根据初始电流产生第一电压差值。处理器根据第一电压差值控制量测电路,调整初始电压至基准电压。当量测电路处于基准电压下,处理器于第二阶段控制量测电路以产生第一电流至待测晶体管,通过量测电路量测待测晶体管响应第一电流的第二电压以计算第二电压差值。处理器根据初始电流、第一电流、前述两种电压差值计算待测晶体管的跨导参数。本案通过控制待测晶体管的漏极及源极

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN221039311U

(45)授权公告日2024.05.28

(21)申请号202322673663.7

(22)申请日2023.10.07

(30)优先权数据

1112144032022.

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:5333241143000144
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档