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本发明提供抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内的载置台，其用于支承基片，包括静电吸盘和下部电极；高频电源，其供给用于激发供给到腔室的气体的高频；一个以上的直流电源，其产生施加到载置台的具有负极性的偏置用的直流电压；切换单元，其能够停止对载置台施加直流电压；和控制切换单元的控制器，控制器控制切换单元，以使得作为偏置用，仅将来自一个以上的直流电源的负极性的直流电压周期性地施加到载置台，在将规定施加直流电压的各个周期
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098921A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410266702.8
(22)申请日2019.04.24
(30)优先权数据
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