原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种具有ESD结构的高压超结MOSFET器件的制备方法，包括：在硅衬底表面外延形成超结结构电荷平衡区；在超结结构电荷平衡区的顶部形成体区；在体区表面依次形成厚场氧化层、ESD多晶硅和氧化层介质；刻蚀去除有源区域中的ESD多晶硅和氧化层介质；刻蚀去除有源区域中的厚场氧化层；在体区表面依次淀积栅介质层和栅极多晶硅；去除氧化层介质；通过同一个掩膜版在ESD多晶硅和暴漏出来的体区内形成源区；在ESD多晶硅和栅极多晶硅顶部淀积第一介质层，并在第一介质层内刻蚀形成接触孔；形成源极和漏极。本申请在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098980A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410489199.2
(22)申请日2024.04.23
(71)申请人希力微电子（深圳）股份有限公司
地
文档评论（0）