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本发明属于功能材料技术领域，具体为一种一维铜基纳米线材料及其制备方法和应用。本发明的一维铜基纳米线材料是由Te气相沉积于一维氧化铜空心纳米线制成，即其基底为氧化铜空心纳米线，负载为Te气相沉积形成的CuTeO3；该材料在2.0‑18.0GHz频率范围内展现出优异的电磁波损耗能力。本发明利用铜纳米线作为碳基模板及第一元素负载，通过低温氧化，形成空心纳米线；再在其表面进行Te元素气相沉积，实现CuO/CuTeO3异质结，通过改变煅烧温度和时间，制得一维铜基纳米线材料。本发明合成工艺简单，可规模化制备
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099765A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410220768.3
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人复旦大学
地址200433
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