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- 2024-05-29 发布于四川
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本发明公开一种助熔剂法生长GaN单晶的装置及方法，用于解决现有助溶剂法生长GaN单晶的质量不佳的技术问题。本发明包括可受驱旋转的反应釜，所述反应釜内部固定有坩埚，所述坩埚包括密封连接的坩埚盖以及坩埚体，其中，所述坩埚盖可用于固定籽晶，所述坩埚体的外侧面开设有开口。上述设计中，在GaN单晶生长前，籽晶需被固定在坩埚盖的内侧顶部。熔体升温过程及恒温的开始阶段，籽晶与熔体分离，避免了籽晶被熔体腐蚀，影响籽晶的表面形貌，进而影响GaN单晶的生长质量。在N离子浓度达到过饱和或气液平衡后，通过旋转反应釜可使
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118087044A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410428418.6
(22)申请日2024.04.10
(71)申请人北京大学东莞光电研究院
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