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2024-05-29 发布于四川
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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光刻掩膜版异常检测方法、系统及可读存储介质，方法包括以下步骤：获取具有相同图案的多张掩膜版图像并进行对齐，所述掩膜版图像包括正常掩膜版图像及待测掩膜版图像；对所述掩膜版图像进行去模糊处理；对所述去模糊处理后的待测掩模版图像中的每一个有效点进行局部特征计算，若所述有效点的局部特征值大于预设阈值，则判定该有效点为异常点；基于所述异常点推断所述待测掩膜版图像所属的异常类型并进行分类。通过对掩膜版图像做一定的预处理后采用局部特征计算的方式得到待测掩模版图像中的每

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118097267A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410232901.7

(22)申请日2024.02.29

(71)申请人上海华力微电子有限公司

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