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一种多场耦合增强型等离子体表面处理装置涉及等离子体技术领域，包括微波源、环形器、矩形波导、反应腔、双电极电场辅助增强结构、磁场辅助增强结构。该装置通过微波组件将特定频率和模式的能量馈入反应腔中激发等离子体；在反应腔中引入双电极电场辅助增强结构，在反应腔中形成局部电场；此外，在反应腔下底部分设置磁场辅助增强结构，在反应区域施加静磁场；该装置在微波源电压和频率可调范围有限的情况下，通过外加电场与磁场的作用，可以提高等离子体产生效率，同时在反应区域形成高密度的自由粒子区从而增加反应区域自由粒子的碰撞效
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN221043318U
(45)授权公告日2024.05.28
(21)申请号202320691714.6
(22)申请日2023.03.31
(73)专利权人北京工业大学
地址10012
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