超导量子比特自电容小型化设计方法及超导量子比特自电容.pdfVIP

超导量子比特自电容小型化设计方法及超导量子比特自电容.pdf

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本发明属于超导量子计算技术领域,特别涉及一种超导量子比特自电容小型化设计方法及超导量子比特自电容,将电容宽度作为电容小型化衡量标准,并设置电容基本参数为恒定数值,设置电容形状为调整优化参数;借助第三方仿真软件来获取当前形状下电容性能参数,其中,性能参数至少包含:近似电容值、相干时间长度及电场分布,并依据性能参数选定电容形状下一步优化方向;依据电容优化前后的性能参数,筛选出相干时间最优且电场分布最佳的电容形状,并通过比较筛选出的电容形状与平行板电容之间尺寸差来衡量小型化效果。本发明在保持超导量子比

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115965087A

(43)申请公布日2023.04.14

(21)申请号202211292835.XG06N10/40(2022.01)

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