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一种锑化物超晶格红外探测器芯片的钝化方法.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于四川
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一种锑化物超晶格红外探测器芯片的钝化方法.pdf

    本发明公开一种锑化物超晶格红外探测器芯片的钝化方法，其包括以下依次进行的步骤：将待处理芯片放入ICP刻蚀设备中进行ICP刻蚀，形成超晶格台面；对芯片采用湿法腐蚀方法去损伤层；对芯片进行涂胶保护；对芯片进行O2等离子体去胶；对芯片进行N2等离子体去氧化层；对芯片采用ALD沉积技术进行ALD钝化膜生长并完成后续电极开孔；对芯片进行金属化操作，完成后，芯片进行封装。本发明利用外源的N原子对表面原子结构的修饰，从而改变半导体表面的电子结构，采用原子层沉积钝化薄膜，实现对器件刻蚀过程中产生的表面悬挂键的饱

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118099275A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202311860408.1

    (22)申请日2023.12.31

    (71)申请人中航凯迈（上海）红外科技有限公司

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