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本发明属于光伏行业太阳能电池领域，具体涉及一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法，包括制绒、扩散、刻蚀、正面沉积SiO2层、背面镀膜、正面掩膜、正面沉积掺P多晶硅(n‑Si)、正面去除掩膜、正面沉积SiNx层、丝网印刷和金属化步骤，制成的P型单晶硅电池正面镀膜结构，在正面电极图形处多了一层的掺P多晶硅，该掺杂多晶硅层结合薄氧化层能对电池正面起到很好的遂穿效应，防止电池中的少子(空穴)向正表面迁移，且正面金属电极是与掺杂多晶硅层接触，避免了金属电极和硅基片直接接触导致的表面复合高的问题，提高电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109786475A
(43)申请公布日
2019.05.21
(21)申请号20181
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