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本发明提出了一种基于温度补偿的Mems新式电桥及其补偿方法，所述Mems新式电桥的结构包括感压芯片、调理芯片、PCB板和外壳气嘴，其特征在于，所述感压芯片上的表面设置有贵金属焊盘，同时设有单晶硅压敏电阻、弹性膜片、共晶键合层和测温单元，所述测温单元设置在感压芯片的表面，所述单晶硅压敏电阻设置在弹性膜片的两侧，所述弹性膜片与所示共晶键合层形成一个参考压力腔，所述测温单元用于感应介质温度。本发明从根本上改变了测量温度由调理芯片测温不准，由Mems感压芯片直接测量温度，并且校准算法采用了更精确的算法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118090019A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410167295.5
(22)申请日2024.02.06
(71)申请人深圳安培龙科技股份有限公司
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