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本发明属于二维半导体材料制备领域，具体涉及原子级薄的Cu2Te二维材料的制备方法，采用内外嵌套的沉积管进行CVD沉积，其中，所述的沉积管外管和内管；所述的内管靠进气口端开口，另一端封口；CVD沉积过程中，预先将铜源和基底设置在内管的开口侧，碲源设置在内管的封口侧，对内管控温，使内管开口侧的铜源、基底处的温度T1控制在460～510℃，封口侧碲源处的温度T2控制在530～570℃，使铜源和碲源在内管内挥发并在基底上CVD沉积，制得所述的原子级薄的Cu2Te二维材料。本发明还包括所述的制备方法制得的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118086865A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410227609.6H01L31/112(2006.01)
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