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2024-05-29 发布于四川
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三维半导体结构及其形成方法.pdf

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一种三维半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括，三维半导体结构的形成方法，在半导体衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直方向分立排布的多层半导体层，所述堆叠结构沿第一方向依次包括第一有源区域、沟道区域和第二有源区域，所述沟道区域沿第一方向包括第一区域和第二区域，所述半导体层包括沿第二方向上分立排布的多个线状半导体图形，在第二方向上位于所述第二区域的相邻所述线状半导体图形之间填充有支撑隔离层，所述第一方向和所述第二方向平行于所述半导体衬底上表面；在所述沟道区域的所述线状半导体图形表面及所述支

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118102708A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202211459446.1

(22)申请日2022.11.21

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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