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本发明提供一种半导体芯片和一种封装结构。所述半导体芯片的基底包括外围电路区，外围电路区内形成有贯穿基底的多个硅通孔，每个硅通孔的一端设置有正面焊垫，正面焊垫远离硅通孔的表面设置有凸块；其中，外围电路区具有中心区域和边缘区域，中心区域中硅通孔的中心线与对应的正面焊垫的中心线之间的偏移量大于边缘区域中硅通孔的中心线与对应的正面焊垫的中心线之间的偏移量，如此增加了外围电路区中心区域的正面焊垫上的凸块热传导的热阻，在同样的热压焊接工艺温度下，中心区域的凸块的温度会降低，从而边缘区域凸块温度与中心区域凸块
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099116A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211460043.9
(22)申请日2022.11.17
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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