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本发明涉及一种基于薄膜共振和亥姆霍兹共振的半主动控制消声器，包括：消声器主体，消声器主体由依次连接的中高频消声段、信号检测控制段和低频消声段构成，消声器主体的中部贯穿设置有消声通道。低频消声段包括薄膜共振器。薄膜共振器包括第一腔室、薄膜、活动板和控制装置，第一腔室设置有第一开口，第一开口覆盖并固定连接有薄膜，活动板滑动安装在第一腔室内，活动板、第一腔室和薄膜构成第一共振腔，控制装置用于调节活动板的位置，调整第一共振腔的体积。本发明还公开了一种消声方法。本发明在对中高频噪声具有较好的吸声性能的前提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098184A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410083044.9
(22)申请日2024.01.19
(71)申请人厦门环寂高科有限公司
地址36
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