基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复合材料及制备方法.pdfVIP

基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复合材料及制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于激光近净成形制备的Cf/SiC陶瓷基复合材料及制备方法,属于增材制备技术领域。本发明公开的方法采用Si粉体、SiC粉体及Cf粉体混合PVA溶液、去离子水及无水乙醇后,球磨造粒得到的Si‑SiC‑Cf复合粉体作为打印原料,通过设计合理的打印参数,基于激光近净成形技术制备了Cf/SiC陶瓷基复合材料块体;该方法涉及的制备过程简单易控、可重复性高、周期短且性能优良,避免先制备素胚后脱脂热处理等流程所导致的质量不佳、操作繁琐、周期较长等问题;制备得到的Cf/SiC陶瓷基复合材料孔隙率

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118084501A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410198821.4C04B35/64(2006.01)

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