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本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有金属层，金属层包括第一尖角；形成钝化材料层，钝化材料层覆盖金属层并且在对应于第一尖角的部分包括第二尖角；形成光刻胶层，光刻胶层覆盖钝化材料层，光刻胶层的对应于第二尖角的部分的厚度小于光刻胶层的其他部分的厚度；执行刻蚀工艺，光刻胶层的对应于第二尖角的部分相比于光刻胶层的其他部分先被刻蚀去除，第二尖角失去光刻胶层的保护后发生材料损失，使得钝化材料层形成为第一钝化层，第一钝化层的对应于第一尖角的部分的厚度小于第一钝化层的其他部分的厚
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098976A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410239851.5
(22)申请日2024.03.04
(71)申请人芯联越州集成电路制造（绍兴）有限
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