一种半导体工装辐射太赫兹信号表征的测试装置及方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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一种半导体工装辐射太赫兹信号表征的测试装置及方法.pdf

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本发明公开了一种半导体工装辐射太赫兹信号表征的测试装置及方法，包括外壳，在外壳的内部设置有信号发射组件、信号接收组件以及透镜组件；其中，信号发射组件和信号接收组件分别设置在外壳的两端部，透镜组件设置在信号发射组件和信号接收组件之间的位置。通过本发明的装置，可用于常温常压下半导体器件辐射的太赫兹信号功率和频率测量。切换光路可实现功率和频率测试的切换。借助该测试装置可实现半导体太赫兹频率器件参数自主测量，提升工作效率，促进半导体太赫兹辐射频率器件的研究进度。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118090614A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410527176.6

(22)申请日2024.04.29

(71)申请人凌赛（成都）科技有限公司

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