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本发明公开了一种GaNHEMT器件辐照环境应用设计多尺度方法，该方法通过MD、MC、TCAD方法结合，对器件辐照退化行为进行模拟。通过MD模拟材料位移阈能与应变的关系，用MC方法计算实际缺陷分布，最后结合TCAD对应变下器件的辐照退化进行更加准确的模拟，从而实现从微观结构到宏观器件的多尺度耦合模拟，对器件太空应用进行性能预测。本发明考虑了器件内部存在的残余应变、错配应变，同时实现跨尺度模拟，从而更加准确的对器件太空应用进行预测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118095165A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410254837.2
(22)申请日2024.03.06
(71)申请人浙江大学
地址310058
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