微发光元件、微发光二极管及其转印方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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本发明公开微发光元件，微发光二极管及其转印方法，其中微发光元件包括：若干个微发光二极管，微发光二极管包括：半导体外延叠层，所述半导体外延叠层包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；基架，位于所述微发光二极管下方，支撑所述微发光二极管；桥臂，用于连接微发光二极管和基架，所述微发光二极管搭接在两侧桥臂之间；其特征在于：设所述桥臂的体积为S1，设所述微发光二极管的长度、宽度和厚度为a，b和h，所述S2为a，b和h的乘积，所述S1与S2的比值大于等于0.001。本发明通过桥臂结构的设计

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099328A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410404779.7

(22)申请日2024.04.03

(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司

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