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一种接触孔自对准低压屏蔽栅场效应晶体管的制作方法.pdfVIP

一种接触孔自对准低压屏蔽栅场效应晶体管的制作方法.pdf

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    本申请涉及晶体管制备技术领域，公开了一种接触孔自对准低压屏蔽栅场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：步骤一、首先对硅衬底规格进行选取；步骤二、屏蔽栅结构形成；步骤三、牺牲氧化层生长，去除，屏蔽栅氧化层生长，多晶填充；步骤四、多晶刻蚀；步骤五、体阱注入退火；步骤六、控制栅区域多晶光刻\刻蚀；步骤七、有源区氧化层腐蚀；步骤八、栅氧化及控制栅多晶生长；步骤九、控制栅光刻及刻蚀多晶；步骤十、多晶氧化；步骤十一、源区光刻注入退火。本发明提供的一种接触孔自对准低压屏蔽栅场效应晶体管的制作方法，通过利用氧化层

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118098974A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410221443.7

    (22)申请日2024.02.28

    (71)申请人上海功顶半导体有限公司

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