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本发明公开了一种原位生长单晶籽晶的装置，包括真空腔体和加热组件，加热组件包括坩埚，坩埚侧壁安装有多个热电偶，包裹有电阻加热元件，坩埚下方固定在支架上，支架置于水冷铜模上方，电阻加热元件外侧包裹有保温元件，坩埚上方安装保温盖板，保温盖板连接有供保温盖板升降的运动组件，运动组件与真空腔体通过动态密封连接，真空腔体上还设置有真空组件。本发明通过设置水冷铜模，创造纵向的温度梯度提供晶体生长的驱动力，并且通过等距安装有多个热电偶实时监测金属料熔化后形成的熔体的温度，获取熔体内部的温度梯度，指导籽晶的制备，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118087017A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410278972.0
(22)申请日2024.03.12
(71)申请人西安稀有金属材料研究院有限公司
地
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