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本发明提供了一种基于GaNMOSFET的电磁干扰电路，包括半桥栅极驱动电路和GaNMOSFET半桥电路，半桥栅极驱动电路包括VDD脚、HIN脚、LIN脚、VBST脚、GND脚、VDDH脚、HOSRC脚、HOSNK脚、SW脚、VDDL脚、LOSRC脚、LOSNK脚、PGND脚。HIN和LIN是两个相位相反、50％占空比的方波输入信号，HIN脚电平为高，LIN脚电平为低时，高侧GaNMOSFET导通，低侧GaNMOSFET截止，半桥电路输出高电平信号；HIN脚电平为低，LIN脚电平为高时，低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118100885A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410059130.6
(22)申请日2024.01.16
(71)申请人南京照通智慧科技有限公司
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