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2024-05-29 发布于四川
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本申请公开了一种MIM电容制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有第X铜金属连线层，第X铜金属连线层中形成有铜金属线；在第X铜金属连线层表面形成绝缘介质层；使用集成有对位标记图案和下极板图案的RV掩膜版进行对位曝光和刻蚀，以在绝缘介质层中形成再分配通孔区域和下极板区域，并在衬底中形成对位标记区域；沉积防导电扩散材料层；对防导电扩散材料层进行CMP处理，以形成再分配通孔和下极板层，并在对位标记区域中保留有台阶；依次沉积介电材料和上极板金属；根据对位标记区域进行对位，并通过光刻工艺定义上极板图案；根

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099126A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410184170.3

(22)申请日2024.02.18

(71)申请人华虹半导体（无锡

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