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一种氮氧化硅波导层的制作方法.pdfVIP

一种氮氧化硅波导层的制作方法.pdf

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    本发明提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，包括以下步骤：于反应腔室中通入反应气体，反应气体包括SiH4、N2O与NH3，其中，SiH4的气体流量范围为110～120sccm，N2O的气体流量范围为700～900sccm，NH3的气体流量范围为20～30sccm；采用等离子体增强化学气相沉积法生成氮氧化硅薄膜层；对氮氧化硅薄膜层进行高温退火，高温退火的温度不低于1000℃。本发明的氮氧化硅波导层的制作方法中，通过调节气体比例，调节氮氧化硅薄膜层中的氮原子含量，降低氮氧化硅薄膜层的应力，在高温退火后氮

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118086864A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202211430028.X

    (22)申请日2022.11.15

    (71)申请人上海新微技术研发中心有限公司

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