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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，方法包括：提供基底；于基底内形成第一孔洞及第二孔洞，第一孔洞的宽度小于第二孔洞的宽度，第一孔洞的深度小于第二孔洞的深度；形成覆盖第一孔洞及第二孔洞的第一介质层，第一介质层的顶面不低于基底的顶面，第一介质层位于第一孔洞内的部分具有第一间隙；去除第二孔洞内的第一介质层的同时，去除第一孔洞内的第一介质层并去除部分第一孔洞正下方的基底。上述方法能够使得在高深宽比的结构刻蚀过程中，不同宽度尺寸的孔洞具有相同的深度，改善了刻蚀的均匀性，提升了产品的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102703A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211447906.9
(22)申请日2022.11.18
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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