大学物理实验霍尔效应测磁场.docx

霍尔效应测磁场

根本定义：当稳恒磁场垂直作用于载流导体〔或半导体〕一段时间后，在导体〔或半导体〕的另外两个端面上会产生电位差〔称霍尔电压〕，这种现象称为霍尔效应。霍尔电压与电流强度、磁场强度、载流子的浓度及导体〔或半导体〕的几何尺寸有关。

【教学目的】

学会利用霍尔效应测量磁感应强度。

加深对霍尔效应的理解。

把握异号消退系统误差的方法。

把握UJ31低电势电位差计的使用方法

【教学重点】

学会利用霍尔效应测量磁感应强度

【教学难点】

把握异号消退系统误差的方法。

【教学方法】

以学生试验操作为主；讲授、争论、演示相结合。

【试验仪器】

霍尔元件测磁场装置、直流毫安表、直流安培表、UJ31低电势电位差计、200?滑线变阻器、AC15型直流复射式检流计、干电池、蓄电池、稳压电源、标准电池和导线假设干。

【学时】

3学时

【课程讲授】

什么是霍尔效应？霍尔电压与哪些因素有关系？

答复:霍尔电压与电流强度、磁场强度、载流子的浓度及导体〔或半导体〕的几何尺寸有关。

霍尔系数跟什么有关?

答复：由霍尔材料的性质打算。

霍尔元件里的电子受到几个力的作用？答复：洛仑磁力和霍尔电场力两个力作用

一、试验原理

垂直于磁场运动的带电离子将受到洛伦兹力Fm?q?×B的作用，其中，q为带电离子的电量，?为带电离子的速度，B为磁场的磁感应强度。

取一块外形为长方体、电子导电的半导体，如图3.24所示。在它的左右两端焊接上电

dq nqV

极〔标记为3和4〕，通以自左向右的直流电流I?dt?

dt ?

霍尔效应原理

nq?bddt?nq?bd，则半导体中的电子会产生定向移动。然后在它的前后两端通以稳恒磁

dt

场，由于洛伦兹力的作用，电子将向上偏转积聚在上外表，下外表由于少了电子而带正电，上下两面将很快形成一个稳定的电场，且电场力和洛伦兹力大小相等、方向相反，电子不再偏转，上下两面产生恒定的电势差〔霍尔电压〕，连接上下电极1和2，则可测量霍尔电压的大小。简洁的数学计算如下。

由电场力和洛伦兹力大小相等、方向相反得到

e?B?eE?eUH

b

?U ??Bb?

?H ??U ?

?

en d1 IB?

en d

1 IB?R IB

H

d

?? Inebd

? H H

??

1

式中的RH

仅由霍尔材料的性质打算，称为霍尔系数。K

H

?end

称为霍尔元件的灵敏度。对

于给定的霍尔元件，KH

为常数，单位为mV/mA·T〔毫伏/毫安·特斯拉〕。假设 ，测

KH

K

得霍尔电压UH

和工作电流I，则可由式〔3.16〕计算磁感应强度

UB? H 〔3.17〕

U

K I

H

用霍尔元件测量磁场的主要误差有以下几个。〔学生自己看书中128页，只是提一下〕

不等位电势差

不等位电势差〔U0〕是指当霍尔电压输出电极1与2不在电流场的同一等位面上时所引起的电势差。该电势差的大小与工作电流成正比，方向随工作电流的方向而转变，与磁场有关。可以通过转变工作电流的方向使U0反向，用异号法消退它的影响。

温度的影响

K半导体的载流子浓度对温度很敏感。环境温度变化或工作电流的焦耳热都会引起 的

K

H

变化。除此之外，元件中的温度梯度还会产生下述磁热效应。

U①厄迁豪森效应。半导体中各载流子的定向迁移速率实际上互不一样，高速载流子会聚在洛伦兹力指向的一侧，使该侧温度较高，从而在1和2两个电极间产生温差电动势 。

U

E

E当I和B任意一个反向时，U也随之反向。可用异号法消退其影响。

E

U②能斯特效应。当电极3和4与半导体的接触电阻不相等时，工作电流的焦耳热将会使它们产生温差，引起温差电动势和温差电流。在外磁场的作用下产生附加的霍尔电压 。

U

N

它的方向随B的变化而变化，与电流的方向无关。可用异号法消退其影响。

③里纪-勒杜克效应。与能斯特效应的温差电流相应的各个载流子附加定向迁移速率互不相

同，也会产生厄迁豪森温差电动势U ，它的方向仅随着B的转变而转变，与电流方向无关。

NE

另外，外加磁场与霍尔元件不垂直时，霍尔电压仅与B的垂直重量有关。

重点表达：霍尔电压V 的测量方法〔难点〕

H

应当说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致试验测得的1、2两电

极之间的电压并不等于真实的V 值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必需设

H

法消退。依据副效应产生的机理可知，承受电流和磁场换向的异号法，根本上能够把副效应

的影响从测量的结果中消退，具体的做法是：保持I 和B〔即I 〕的大小不变，并在设定

S M

电流和磁场的正、反方向后，依次测量由以下四组不同