MZM及EAM的原理即特性公式推导(共7页).docx

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RoF系统主要由以下元件组成：

光源，光调制器，光放大器和光电探测器。

在射频频率范围超出10GHz的情况下，通常会采用外调制器。外调制技术是将射频信号通过一个外部光学调制器调制到光载波上。光调制器是通过电压或电场的变化最终调控输出光的折射率、吸收率、振幅或相位的器件。它依据的基本理论是各种不同形式的电光

效应、声光效应、磁光效应、Fang-Keldgsh效应、量子阱Stark效应、载流子色散效应等。

光调制器主要包括相位调制器(PM)和强度调制器，由于光电探测器的输出电信号直接与入射光强相关，而相位调制和频率调制必须采用外差接收机来解调，在技术上实现比较困难，所以目前光通信中普遍采用的是光强度调制，尤其是在RoF系统中，需要实现信

号的模拟调制，强度调制主要有铌酸锂MZM(LN-MZM)和电吸收调制器EAM。

MZM

因为铌酸锂材料本身非常稳定，有低损耗、使用寿命长、受温度及系统波长影响小等特点，且马赫增德尔调制器可以处理的信号带宽和光功率都较高，具有波长无关调制特性，能够较好地控制调制性能以及调制光强度和相位，可以实现40Gbit/s以上高数据速率的调制，

成为许多先进光调制格式产生的基础。

下图为LN-MZM结构图

其中

V?=Voci+v?(t)

V?=Voc?+v?(t)

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Voc?为上臂的直流偏置电压，Voc?为下臂直流偏置电压，γ;(1)为上臂的驱动电压，

v?(t)为下臂的驱动电压

MZM调制器是由一个铌酸锂的衬底和共面型相位调制器组成。在这种调制器中，两个分支的相位调制和由基材的电光特性有关，每一个分支的相位变化转换为输出光功率的

变化。

MZ调制器可以看作由两个相位调制器组成。首先介绍相位调制器。

设输入光场为E(t)=E?e(aw+),其中E?为输入光场的振幅，o,为光的频率

与初相位。相位调制器的驱动电压为V(1)=Voc+VCOs(Opt+φ),其中Voc为直流偏置电压，V为驱动电压的振幅，Ogr,Q?分别为驱动电压频率与初相位。相位调制器引起

的附加相位为：

其中V,为相位调制器产生附加相位为π时的电压，对应为整个光波模位质烟度荤因此V,也称为半波电压。ERNO.水CO

则经相位调制器的输出光场形式为：

令

,并利用公式：

进而可得输出光场为

如果φ=0,φoc=0,=0,取上式的实部，则有：

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上式即为相位调制器输出光的形式。

MZ可看做两个相位调制器的组合，如下图：

Eout(t)

V?(t)

假设上下臂分别调制了角频率为Om,0m?,幅度为V1和V2的调制电压，即

u?(t)=Vhiast+V?cos(Omt)

u?(t)=Vbias?+V?cos(0m?t)

于是

φ(t)=m,μ?(t)=P+△φCOSOt

Q?(I)=m?U?(1)=9bux?+△Q?COSO?

分别为双臂的调制系数；V?12分别为双臂的半波电压；

QbaL?=M??·Vnas?.2分别为双臂上直流偏压引入的直流偏置相位；△φ?=m,?V??为交流

调制相位的幅度。Vbias为偏置电压，Vm为调制电压幅值，0。为调制角频率。

V,是半波电压，

G是电极间的间隔，L是电极长度，n是铌酸锂光波导的有效折射率，「是电场与光场之间的重叠因子，0,是光载波频率，c真空光速，Y??为线性电光张量的第九个分量，

λ为真空中的光波长，V,V?分别为加在两臂上的调制电压；此外，上式中还利用了

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MZM输出端光场为

E(I)=jE[√P(I-P?)e1^+√P?(1-p.)e]

则P?,P?为两个Y分支器的功率分配比，对于理想状况来讲，

则

可见，输出端光强为；

可见，当(V1-V2)=0时，输出光强最大，lout=lin;当(V1-V2)=V?/2时，输出光

强为输入光强一般，Iout=1/2lin;当(V1-V2)=V时输出光强最小，为零。所以常把

(V1-V2)=0时的情形为最大输出点，而第三种情况称为最小输出点。下图为MZM传递

曲线。

V1-V2(以Vpi/2为单位)

在一般的ROF链路当中，偏置点都放置在半波电压的位置，即这主要是两

方面的因素决定的，第一，射