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半导体污染及其防治研究

赵佳焱

【理科实验班（地球系统科学与环境）171830047】

摘要：随半导体产业发展扩大，半导体圆片生产过程中各种沾污杂质问题严重影响了其质量，本文

介绍了半导体生产过程中的各种杂质以及对应的去除的各种方法。同时根据半导体行业生产过程中产生的

环境污染问题，提出清洁生产的预防措施。

关键词：半导体；污染；防治

引言：

随着半导体器件和大规模集成电路的迅速发展，半导体制造业半导体被沾污以及制造过程中造成的环

境污染问题越发受到重视。晶片表面的颗粒和杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率，而半导体工业涉

及到300多种不同性质的原料和溶剂，其中大部分是有毒性和危险性的物质，半导体工业在攀合人们带来

财富的同时，也伴随着对人类生存环境的危害。

1.半导体晶圆的污染源及清洗

1.1四类杂质污染物

半导体制造中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，由于工艺总是在净化室中由人的参与进行，

所以半导体圆片不可避免的被各种杂质污染。根据污染物的来源、性质等，大致可分为颗粒、有机物、金

属离子和氧化物四大类。

1.1.1颗粒

颗粒主要是一些聚合物、光刻胶和蚀刻杂质等。这类污染物通常主要依靠分子间作用力吸附在圆片表

面，影响器件光刻工序的几何图形的形成及电学参数。这类污染物主要通过物理或化学的方法逐渐减小其

与圆片表面的接触面积将其去除。

1.1.2有机物

有机物杂质的来源比较广泛，如人的皮肤油脂、细菌、机械油、真空脂、光刻胶、清洗溶剂等。这类

污染物通常在圆片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达圆片表面，导致圆片表面清洗不彻底。这类污染物

的去除常常在清洗工序的第一步进行，主要使用硫酸和双氧水等化学方法进行处理。

1.1.3金属离子

常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等，来源主要有：各种器皿、管道、化学试

剂，以及加工过程中形成金属互连时，产生的金属污染。这类杂质的去除常采用化学方法通过形成金属离

子的络合物去除。

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1.1.4氧化物

半导体圆片暴露在含氧气及水的环境下表面会形成自然氧化层。这层氧化薄膜会妨碍半导体制造的许

多工序，还包含某些金属杂质，在一定条件下，它们会形成电学缺陷。这层氧化薄膜的去除常采用稀氢氟

酸浸泡完成。

1.2一般清洗顺序

吸附在半导体圆片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种。其中分子型杂质和圆片表面间

的吸附力较弱，这类杂质粒子比较容易清除，它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点，可为半导体圆片

表面沾污的离子型和原子型杂质提供掩蔽，不利于这两类杂质的去除，因此在半导体圆片进行化学清洗时，

首先应该清除分子型杂质。离子型和原子型吸附的杂质其吸附力都较强，属于化学吸附杂质。在通常情况

下，由于原子型吸附杂质的量较小，所以在化学清洗时，一般先清除离子型吸附杂质，然后再清除原子型

杂质。最后用高纯去离子水进行冲冼，再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的半导体圆片。

因此，半导体圆片清洗工艺的一般程序为：去分子→去离子→去原子→去离子水冲洗。另外，为去除

圆片表面的自然氧化层，需要增加一个稀氢氟酸浸泡步骤。

所以，清洗的思路是首先去除表面的有机沾污；然后溶解氧化层；最后再去除颗粒、金属沾污，同时

使表面钝化。

1.3常用清洗方法

半导体圆片的清洗常采用化学方法清洗。化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与圆片表面的杂

质及油污发生化学反应或溶解作用，使杂质脱附，然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表

面的过程。化学清洗可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗仍处于主导地位。

1.3.1湿法化学清洗

湿法化学清洗主要包含溶液浸泡法、机械擦洗法、超声波清洗、兆声波清洗、旋转喷淋法等。

（1）溶液浸泡法

溶液浸泡法是将圆片浸泡在化学溶液中来达到清除表面污染的一种方法。它是湿法化学清洗中最常用

的一种方法。选用不同的溶液可以达到清除圆片表面不同类型的污染杂质。通常这种方法不能彻底去净圆

片表面的杂质，所以在采用浸泡的同时常辅以加热、超声、搅拌等物理措施。

（2）机械擦洗法

机械擦洗常用来去除圆片表面的微粒或有机残渣，一般可分为手工擦洗和擦片机擦洗两种方法。手工

擦洗是最简单的一种擦洗方法，用不锈钢镊子夹着浸有无水乙醇