半导体器件物理施敏课后答案.pdf

半导体器件物理施敏课后答案

LT

授课类型：理论课授课时间：2节

授课题目（教学章节或主题）：

第一章半导体的电子状态

1.3半导体中的电子运动——有效质量

1.4本征半导体的导电机构——空穴

本授课单元教学目标或要求：

理解有效质量和空穴的物理意义，已知e（k）表达式，能求电子和

空穴的有效质量，速度和加速度

本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生

解决重点难点的方法、例题等）：

1．半导体中e（k）与k的关系（重点，难点）

2．半导体中电子的平均速度

3．半导体中电子的加速度

4．有效质量的物理意义（重点，难点）

【篇二：《半导体器件物理》理论课程教学大纲】

=txt课程编码课程模块：专业方向课修读方式：限选

开课学期：5课程学分：2.5课程总学时：51理论学时：36实践学

时：15

一、课程性质、内容与目标

本课程是高等学校本科集成电路设计与集成系统、微电子技术专业

必修的一门专业主干课，是研究集成电路设计和微电子技术的基础课

程。本课程是本专业微电子技术方向限选课。

本课程的任务是：通过本课程的学习，掌握半导体物理基础、半导

体器件基本原理和基本设计技能，为学习后续的集成电路原理、cmos

模拟集成电路设计等课程以及为从事与本专业有关的集成电路设计、

制造等工作打下一定的基础。

二、教学内容及基本要求、学时分配

第一章、半导体器件简介1.掌握半导体的四种基础结构；2.了解主

要的半导体器件；

3.了解微电子学历史、现状和发展趋势。第二章、热平衡时的能带

和载流子浓度

1.了解主要半导体材料，掌握硅、锗、砷化镓晶体结构；2.了解基

本晶体生长技术；

3.掌握半导体、绝缘体、金属的能带理论；

4.掌握本征载流子、施主、受主的概念。第三章、载流子输运现象

1.了解半导体中两个散射机制；掌握迁移率与浓度、温度的关系；2.

了解霍耳效应；

3.掌握电流密度方程式、爱因斯坦关系式；

4.掌握非平衡状态概念；了解直接复合、间接复合过程；5.掌握连

续性方程式；

6.了解热电子发射过程、隧穿过程和强电场效应。第四章、p-n结

1.了解基本工艺步骤：了解氧化、图形曝光、扩散和离子注入和金属

化等概念；

2.掌握热平衡态、空间电荷区的概念；掌握突变结和线性缓变结的耗

尽区的电场和电势分布、势垒电容计算；

3.了解理想p-n结的电流-电压方程的推导过程；4.掌握电荷储存与

暂态响应、扩散电容的概念；5.掌握p-n结的三种击穿机制。6.了

解异质结的能带图。

第五章、双极型晶体管及相关器件

1.晶体管的工作原理：掌握四种工作模式、电流增益、发射效率、基

区输运系数；

2.双极型晶体管的静态特性：掌握各区域的载流子分布；了解放大模

式下的理想晶体管的电流-电压方程；掌握基区宽度调制效应；

3.双极型晶体管的频率响应与开关特性：掌握跨导、截止频率、特征

频率、最高振荡频率的概念；

4.了解异质结双极型晶体管hbt的结构及电流增益；5.了解可控硅

器件基本特性及相关器件。第六章、mosfet及相关器件

1.掌握mos二极管基本结构、三种表面状态、c-v特性、平带电压；

了解ccd器件；

2.掌握mosfet基本原理，掌握阈值电压的计算及影响因素；

3.了解电流-电压方程推导过程，掌握mosfet的种类及亚阈值区的概

念；4.短沟道效应、cv及ce理论；5.mos反相器的原理与闩锁效

应；6.t和soicmos结构。第七章、mesfet及相关器件

金属-半导体接触的能带图及肖特基势垒理论；1.mesfet