太阳能晶硅电池厚度与效率的关系.pptxVIP

晶硅电池厚度与效率的关系

晶硅电池厚度与效率的关系Conclusion：在常规钝化工艺（SiNx+AL-BSF）基础上，硅片厚度大于200um时电池效率基本不变；硅片厚度小于200um后，随着硅片厚度的下降，效率呈较明显的下降趋势。Rootcause：1、背表面的少子复合影响；2、透射光引起的损失。InfluenceofWaferThicknessonthePerformanceofMulticrystallineSiSolar(anExperimentalStudy)Prog.Photovolt:Res.Appl.2002;10:279–291(DOI:10.1002/pip.421)References:SiNx+AL-BSF工艺

晶硅电池厚度与效率的关系Analysis-背表面的少子复合：（少子的扩散长度L、硅片厚度W、背表面的复合速度Sr）LW：Sr几乎对电池效率无影响；L→W：Sr对电池效率的影响会愈加的明显；如果Sr比较高，则会降低电池的效率，较低的Sr可以减少Eff的损失（甚至可以提高Eff）。临界的Sr?临界的Sr=D/L，其中D为基体少子的扩散系数。对于电阻率为1Ω.cm的硅基体，其D=27cm2/s，多晶硅的少子扩散长度L介于150~300um之间。因此可以计算得到Sr的临界值约为1000cm/s。AL-BS